韓国の半導体受託生産企業「SKキーファウンドリー」は19日、次世代パワー半導体GaN（窒化ガリウム）の主要素子特性を確保し、年内に開発を完了する計画だと明らかにした。
SKキーファウンドリーはGaNパワー半導体の市場性と潜在力に注目し、2022年に開発チームを構成していた。GaNは高速スイッチングや低いON抵抗特性を持っており、従来のシリコン半導体より低損失、高効率、小型化が可能な次世代パワー半導体と呼ばれている。
同社は最近、650V GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）素子の特性を確保した。650V GaN HEMTは電力効率が高く、シリコン基盤の製品に比べ放熱機構の費用を削減できる。このような長所のため、高速充電アダプタ、LED照明、データセンターとESS、太陽光マイクロインバータなど、多様な製品開発に活用されるものと期待される。
また、新規顧客の発掘とともに650V GaN HEMTに深い関心を示している多数の企業にプロモーションを積極的に進める方針だ。同社は650V GaN HEMTを基盤に、さまざまな電圧のGaN HEMTとGaN ICまで提供できるGaNポートフォリオを構築していく。
同社のイ・ドンジェ代表は「SKキーファウンドリーの強みである高耐圧BCDとともに次世代パワー半導体を準備している。GaNだけでなく今後SiC（炭化ケイ素）までパワー半導体のラインナップを広げ、パワー半導体専門ファウンドリーとして位置づけられるようにしたい」と語った。
韓国の市場調査機関オムディアによると、GaNパワー半導体市場は2023年の5億ドルから2032年には64億ドルまで、年平均33％成長するものとみられる。
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