2026 年 3月 20日 (金)
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韓国サムスンと米AMD、AI半導体で戦略連携強化…HBM4供給とファウンドリー協力拡大

ソウル市龍山区漢南洞で対面する韓国サムスン電子のイ・ジェヨン(李在鎔)会長と米アドバンスト・マイクロ・デバイス(AMD)のリサ・スーCEO=サムスン電子(c)news1

韓国サムスン電子のイ・ジェヨン(李在鎔)会長と米アドバンスト・マイクロ・デバイス(AMD)のリサ・スーCEOがソウル市内で会談し、人工知能(AI)半導体分野での協力強化策を協議した。

両社は次世代高帯域幅メモリー(HBM4)の供給を軸に、ファウンドリー(半導体受託生産)まで協力範囲を広げることで一致し、AI分野での戦略的連携をさらに強化する方針を確認した。

会談は夕食をともにしながら約2時間半にわたり進められ、次世代AI半導体市場で主導権を確保するためのパートナーシップ強化について意見が交わされた。

議題には、サムスン電子が量産に成功したHBM4をAMDの次世代AIアクセラレータに搭載する計画に加え、ファウンドリー分野での具体的な協力案も含まれたとみられる。リサ・スーCEOにとって今回が就任以来初の訪韓となり、関係強化への強い意欲が示された。

会談に先立ち、両社は京畿道平沢のサムスン電子半導体工場で、次世代AIメモリーとコンピューティング技術に関する了解覚書(MOU)を締結した。サムスン電子デバイスソリューション部門長のチョン・ヨンヒョン(全永鉉)副会長とリサ・スーCEOらが出席した。

今回の合意の柱は、AMDがサムスン電子をHBM4の優先供給先に選定し、同社の最新AIアクセラレーター「インスティンクトMI455X」に採用する点にある。MI455Xはデータセンター向けの高性能AI演算を担う中核装置で、サムスン電子は1cDRAMと4ナノベースダイ技術を基盤としたHBM4により、AIモデルの学習と推論性能の向上を後押しする。

リサ・スーCEOは「次世代AIインフラの実現には業界全体の緊密な協力が不可欠だ」と述べ、「サムスンの先端メモリー技術とAMDのGPU・CPUプラットフォームを組み合わせられることを歓迎する」と語った。チョン・ヨンヒョン氏も、HBM4から先端ファウンドリー、パッケージングまで一括提供できる点を強みとして強調した。

両社の協力はメモリー分野にとどまらず、サーバー用CPUやデータセンタープラットフォームにも広がる。サムスン電子はAMDの第6世代EPYCサーバーCPUやラック単位のデータセンターシステム「ヘリオス」に、次世代DDR5メモリーを供給する予定だ。

特に注目されるのはファウンドリー分野での連携だ。業界では、AMDが次世代製品の一部生産をサムスン電子に委託する案が有力視されている。メモリーから製造、パッケージングまでを一体で提供できる体制が、AMDの供給網多様化戦略と合致したためだ。

両社は約20年にわたりグラフィックメモリー分野で協力関係を築いてきた。今後はGPUとHBMの共同設計へと関係が進化する見通しだ。AI半導体では演算チップとメモリーの最適化の重要性が高まっており、今回の連携強化が市場構図に影響を与える可能性がある。

(c)news1

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