2025年12月22日午前5時。まだ夜が明けぬ時間、韓国京畿道平沢市のサムスン電子平沢キャンパス第5工場（P5）には、安全ヘルメットを被った数千人の作業員たちが続々と集結した。巨大な敷地にはクレーンが並び、ダンプトラックが列を成し、現場は早朝から昼間のように活気に満ちていた。
P5は、次世代DRAMやHBM（高帯域幅メモリー）、ファウンドリ（半導体受託生産）を網羅するハイブリッド型メガファブとして、2028年の稼働を目指して建設が進む。サムスンは約60兆ウォン（約6.6兆円）を投じ、技術優位の「超格差」体制強化を狙う。
平沢キャンパスのP5建設現場では現在、基礎工事が進行中。サムスンによると、1～4号工場（P1～P4）が2階層・4区画で構成されるのに対し、P5以降の2段階工場群（P5～P6）は3階層・6区画のより大規模な設計になるという。敷地面積は約106万㎡、1工場あたりの建築規模も50万㎡超と、従来より大きい。
現地では1日あたり約1万人が働き、休日も工事が進められる。「年末年始も休みなく、ほぼ毎日仕事がある」と話す作業員もおり、2026年上半期に稼働開始予定のP4完工後は、大多数の人員がP5に移行する見込みだ。
AIブームの到来で、韓国の半導体産業は2018年以来の「第2次スーパーサイクル」に入った。特に価格が急騰する中、需要が供給を上回る事態が続き、各国メーカーが相次ぎ生産設備の投資拡大を進めている。
サムスンにとっては、長らく「痛みの種」だったHBMでも明るい兆しが見える。HBM3E（第5世代）がNVIDIA向けサプライチェーンに組み込まれたほか、次世代HBM4ではグーグルやブロードコムなどの性能評価で高得点を獲得。「王者奪還」への布石を着々と進めている。
DRAMの市況も追い風だ。市場調査会社によると、DDR4の12月平均固定取引価格は初の9ドル突破となり、前回スーパーブーム期（2018年、8.19ドル）を上回った。
サムスンは月50万枚超のDRAMウェハー投入能力を保有し、SKハイニックス（約39万枚）、米マイクロン（約29万枚）を大きくリードしている。価格高騰の恩恵を最も受けると予測される理由だ。
証券各社は、サムスンが2025年10～12月期に約20兆ウォンの営業利益を記録したと分析。2026年には、メモリー需要の継続的な強さを背景に、年110兆～130兆ウォン規模の利益を見込む見方もある。
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